dram电压是什么意思？dram电压是什么 dram电压是内存电压。首先，内存从CPU获得查找某个数据的指令，再找出存取资料的位置时（这个动作称为“寻址”），它先定出横坐标（也就是“列地址”）再定出纵坐标（也就是“行地址”），这就好像在地图上画个十字标记一样，非常准确地定出这个地方。对于电脑系统而言，那么，dram电压是什么意思？一起来了解一下吧。
哥们，你降频到正常，再用1.40v我估计8成你都开不了机，既然超频了，为什么还要降压呢？\x0d\x0aCPU电压是它的供电电压，超频时提高一点电压可以提高超频成功率。因为超频后，CPU内的CMOS开关频率加快，输出信号的电平幅度会降低，导致信号不稳定，提高一点供电电压，就会提高信号电平幅度，增强信号。\x0d\x0a而你说的CPU NB VDD是它的集成的北桥（内存控制器）的VDD电压，VDD电压是干什么的呢？它是CPU内的CMOS电路的漏极电压。调整这个电压可以使超频后内存控制器更稳定。\x0d\x0a简单的说，两者的作用都是为了使机器更加稳定，它们之间，也是有一定联系的。通常超频后出现不稳定的情况，是应该均衡的少量的提高CPU VDD Voltage， CPU-NB VDD Voltage，CPU Voltage，CPU-NB Voltage，DRAM Voltage，而不是单纯的大幅度提高某一部分的电压。\x0d\x0a但是对于你这台机器，CPU-NB VDD Voltage，CPU-NB Voltage，DRAM Voltage电压完全可以不提升，因为我可以断定你的内存目前运行频率完全没有因为你处理器的超频而突破上限。
动态随机存取存储器。
一、简介：
最常用的一种电脑内存。它通常使用一个晶体管和一个电容器来代表一个比特。和ROM及PROM等固件内存不同，随机存取内存的两种主要类型(动态和静态)都会在切断电源之后，丢失所储存的数据。
二、工作原理：
DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵。基本的操作机制分为读(Read)和写(Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到操作电压的一半，然后再把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象。
若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半，反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于操作电压的一半，得到了BL的电压后，在经过放大器来判别出内部的值为0和1。
三、随机存取存储器：
随机存取存储器，也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。
主存即电脑内部最主要的存储器，用来加载各式各样的程序与数据以供CPU直接运行与运用。
由于DRAM的性价比很高，且扩展性也不错，是现今一般电脑主存的最主要部分。
dram存储器的中文含义是动态随机存取存储器。（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。与大部分的随机存取存储器（RAM）一样，由于存在DRAM中的资料会在电力切断以后很快消失，因此它属于一种易失性存储器（volatile memory）设备。
工作原理：
DRAM通常以一个电容和一个晶体管为一个单元排成二维矩阵，左图所示是一个4×4的矩阵。基本的操作机制分为读（Read)和写（Write)，读的时候先让Bitline(BL)先充电到操作电压的一半，然后再把晶体管打开让BL和电容产生电荷共享的现象，若内部存储的值为1，则BL的电压会被电荷共享抬高到高于操作电压的一半。
反之，若内部存储的值为0，则会把BL的电压拉低到低于操作电压的一半，得到了BL的电压后，在经过放大器来判别出内部的值为0和1。写的时候会把晶体管打开，若要写1时则把BL电压抬高到操作电压使电容上存储著操作电压，若要写0时则把BL降低到0伏特使电容内部没有电荷。
“CPU GTL REF0/1”（处理器信号参考基准）：一般适当降低这个数值能够促进处理器超频后的稳定，略微提升处理器主频上限。在微星P45白金版上这个电压区间直接以电压值的形式体现，其最低设定值0.6979V/1.1V=0.634x，经多次以往实验证明这个区间较为适合现有的45nm Core 2处理器，但不排除特殊体质差异。选项末尾的0、1代表分别针对的处理器核心。
“DRAM Voltage”（内存电压）：内存电压与处理器电压类似，决定着内存的超频能力和稳定性，但具体也要根据不同内存芯片的体质、属性设定。
“DDR_VREF_A/B”(内存信号参考基准)：跟CPU GTL REF原理相同，可分辨针对通道A和B独立调节，适合在用于组建双通道的两条内存体质有加大差异的情况下调节。不推荐普通超频玩家尝试更改，设为Auto是比较理想的状态。
“MCH Voltage”（北桥电压）：北桥MCH内存控制器与处理器前端总线同步工作，提升外频时势必也会对北桥产生压力，因此在超外频时需要适当增加这个电压以求MCH的稳定。P45芯片组的北桥电压值低于P35、X48，且发热量巨大，因此在实用超频时这个电压以不超过1.2V为宜。
是30-80v以上。
内存条一般静电是烧不坏的，因为内存芯片需要的电压静电是一般达不到的内存条烧毁的情况99。99%是插槽松动引起的。内存条见过烧了的从来没有见过静电能烧了的。硬盘容易静电烧了的也只是电路板。
如果发生导致指尖产生痛感的静电放电，CPU和内存等电脑硬件被击毁的可能性很大。因此在拆装电脑硬件时最好带上接地腕带或防静电手套，或者在动手之前先触摸一下接地导体。另外电脑系统正确地接地也非常重要。
扩展资料：
产生原因：
任何物质都是由原子组合而成，而原子的基本结构为质子、中子及电子。科学家们将质子定义为正电，中子不带电，电子带负电。在正常状况下，一个原子的质子数与电子数量相同，正负电平衡，所以对外表现出不带电的现象。
但是由于外界作用如摩擦或以各种能量如动能、位能、热能、化学能等的形式作用会使原子的正负电不平衡。在日常生活中所说的摩擦实质上就是一种不断接触与分离的过程。有些情况下不摩擦也能产生静电，如感应静电起电，热电和压电起电、亥姆霍兹层、喷射起电等。
以上就是dram电压是什么意思的全部内容，“DRAM Voltage”（内存电压）：内存电压与处理器电压类似，决定着内存的超频能力和稳定性，但具体也要根据不同内存芯片的体质、属性设定。“DDR_VREF_A/B”(内存信号参考基准)：跟CPU GTL REF原理相同，可分辨针对通道A和B独立调节，适合在用于组建双通道的两条内存体质有加大差异的情况下调节。
